admin PC3000 Flash智能重读模式
嘿,伙计们！如您所知，PC-3000 Flash 7.1.1的新版本在个人更新盒中可供所有具有有效技术支持服务的客户使用。
在本文中，我们想告诉您更多关于新的智能重读模式的信息，该模式已在最近的更新中出现。
注意力！ 此功能仅适用于 PC-3000 Flash 4.0 和 PC-3000 Flash 3.0（PC-3000 Flash 3.0 需要外部电源控制适配器）)
在继续使用闪光灯盒之前，您必须执行 3 个基本步骤：
- 读取NAND芯片;
- 启动ECC校正;
- 重新读取 ECC 未修复的坏扇区。
这些步骤是必要的，因为高误码率可能会对用户数据产生不良影响，并使数据恢复变得不可能。详细过程在我们的文章“PC-3000 闪存”中进行了描述。数据更正方法“。您可以在此处找到它们：第 1 部分、第 2 部分和第 3 部分。
上述方法可以创造奇迹，但有时它们需要采取太多操作：
- 尽可能多地修复 ECC 错误;
- 构建未校正扇区的地图;
- 使用 ReRead 算法（自动验证 + ECC）或 ReadRetry 重新读取它们;
- 建立新的未校正扇区地图;
- 使用电压控制重新读取它们（仅适用于带扩展电源适配器的 PC-3000 闪存版本 3.0 和带集成电源适配器的 4.0 版）。
ACE Lab开发人员添加了一种新的、非常方便的自动完成所有这些操作的方法。您需要做的就是读取芯片，进行ECC校正，然后启动数据准备->工具->智能重读模式。以下是你得到的：
- 生成具有深度分析页面的重读地图;
- 基于先前创建的重读地图构建的未校正扇区的子地图;
- 最有效的 ReadRetry 类型由特殊样本选择;
- 子映射的快速读出与相同类型的 ReadRetry 一起应用;
- 自动选择电源电压并评估最有效电压;
- 快速重新读取未校正页面的剩余子图，具有恒定的最有效电压;
- 使用完整的 ReadRetry 类型列表重新读取未更正页面的子映射的剩余区域;
- 在全方位电源下读取未校正页面的剩余子地图区域。
您唯一应该记住的是 – 您目前正在开发的 NAND 芯片应该在读卡器中！
如果有 2 或 4 个零件/物理芯片，则需要对每个芯片分别进行上述操作。PC-3000闪存将与读卡器中的物理NAND进行通信，因此当您应用智能重读模式时，请务必检查您使用的NAND顺序是否与芯片读取时完全相同。
2 个物理芯片，总共 2 个部分：
2 个物理芯片，共 4 个部分：
步骤如下：
- 启动 ECC 自动检测和更正：
如果您遵循地图 – ECC – 创建子地图使用 ECC 信息，则在 ECC 校正后，您将获得大约 259Mb 的损坏扇区。不关键，但无论如何最好修复它们：
2. ECC校正结束后，按数据准备->工具->智能重读模式：
创建具有坏扇区的链：
使用 ReadRetry 按 Map 重读坏扇区;
通过未校正扇区的地图重新读取带有电压控制的坏扇区。
3. 最终结果！只有 32Kb 的未校正扇区，而不是 ~259MB！干得好，智能重读模式！
如有任何问题，请访问我们的技术支持。
