PC-3000 FLASH通过ID确定某些芯片参数

在某些情况下，您在读取芯片时看到检测到的芯片 ID，但无法将其应用于任务中。因此，它不允许从内存芯片读取转储。如果出现以下情况，则可能出现此类行为：

► 芯片在拆焊过程中
有物理损坏或过热 ► 存储芯片参考书没有特定芯片 ID 的读取参数。

在为新的（未知的）存储芯片添加读取参数时，以下信息将非常有用，适用于了解NAND主要原理的用户。
如果您不熟悉 NAND 数据恢复，我们建议您先学习这些原则。
当然，您可以尝试找到某个存储芯片的数据表，并从那里读取参数。但有时不可能找到数据表或那里缺少某些参数（未描述）。

读取参数检测是一个调查过程，需要一些特定的知识。在本文中，我们将概述一些在此过程中对您有所帮助的想法。无论如何，如果您在数据恢复过程中遇到不受支持的 NAND ID，我们强烈建议您联系我们的技术支持部门。

大家都习惯了芯片ID由4个字节组成，
例如98DE9892，但实际上，完整的芯片ID由6个字节组成，例如98DE9892-7656xxxx。
在这种情况下，PC-3000 闪存读卡器读取 8 个字节，但最后 2 个字节并不重要，不会被考虑在内。

为了将一个存储芯片与另一个存储芯片区分开来，ID本身是必要的。
这就是为什么芯片的一些基本特性被提及/存储在 ID 中，并且一些非常重要的特征也隐藏在第 5 和第 6 字节中。

首先，让我们看一下哪个字节负责什么。

1 – 供应商 ID、制造商的识别码。
2 – 设备 ID、设备标识码。但是，事实上，ID 的第二个字节长期以来一直负责其他事情。
3-6 – 定义芯片特性的字节，我们将在下面考虑。

第一个字节
是供应商 ID 字节，可以是：

第二个字节
是设备 ID 字节。
该字节是多功能的，它负责存储芯片的容量，在某些情况下还负责存储芯片的位深度。
查看存储芯片组容量与 ID 的第二个字节之间的依赖关系表（值以兆字节为单位）：

该表可能不完整，但它涵盖了大多数现代存储芯片。
另外，值得一提的是，芯片 ID 的第二个字节决定了一个组的容量，而不是整个芯片的容量。
换句话说，如果我们有一个具有“DE”第二个字节 （8192） 的芯片，同时这个存储芯片有 4 个部分，那么这个存储芯片的总容量是 32768。
但是在PC-3000闪存工具的参考书中，需要添加一个Bank的容量= 8192。

此外，第二个字节允许确定存储芯片的总线宽度（8位或 16位）。
例如，让我们比较 2 个字节 D7 和 C7 的位表示：

D7 = 11010111
C7 = 11000111

正如我们所看到的，第 4 位对 D7 有“1”值，对 C7 有“0”值。
该位决定了东芝和Sandisk等制造商的芯片宽度，在某些情况下还决定了三星的芯片宽度。

但与此同时，值得记住的是，如果指定的位是 = ‘0‘，
那么这并不意味着总线是 16 位。这只是一个标志，或者我们可以说“支持”16位操作模式，例如，在实践中可以变成16-8。
然后是使用 16 位数据总线的较低 8 位。

此外，例如，如果我们有 2 个存储芯片：

45DE9892-7256
45CE9892-7256，

两个芯片的读取参数相同，但总线宽度除外。

第三字节
：对于大多数芯片来说，它负责 LUN 的数量和内存类型。

例如，我们有两个存储芯片：
98DE9892 和 98DE9532

第一个字节 98 – 东芝
第二个字节 DE – 每个组
8192 MB 第三个字节二进制表示：

98 = 10011000
95 = 10010101

最后 2 位（蓝色）负责 LUN 的数量，并采用以下值：
0 0 – 1
0 1 – 2
1 0 – 4
1 1 – 8

该参数对于存储芯片的特殊读取规则具有决定性作用。
在PC-3000闪存软件中，在特殊读取规则窗口中，它被称为“平面数”。

接下来的 2 位（红色）负责类型并采用以下值：
0 0 – SLC（2 级单元）
0 1 – MLC（4 级单元）
1 0 – TLC（8 级单元）
1 1 – QLC（16 级单元）

根据存储器的类型，可以切断可能不正确的读取算法，从而大大减少优化读取参数的时间。
第三个字节 ID 的剩余位保留用于其他一些事情，它们的用途未知。

第 4 个和第 5 个字节具有很强的“供应商依赖性”。
每个制造商根据自己的概念确定参数，即使在同一制造商但不同代的芯片中，任命也可能不同。

第五字节
它编码了平面的数量（不要与第三个字节中的 LUN 数量混淆）。

平面的数量会影响交错（2 路（单路）/4 路（双路））的存在、不存在和类型。我们可以从 ID 的第五个字节的第 2 位和第 3 位获取有关平面数量的信息：

0 0 – 1 平面
0 1 – 2 平面
1 0 – 4 平面
1 1 – 8 平面

以两个存储芯片为例：

453C9A92-7Axxxxxx – the fifth byte in the ID = 7A, bin view 01111010,
according to table 10 = 4 planes,
98DE9892-76xxxxxx – the fifth byte in the ID = 76, bin view ‭01110110,
according to table 01 = 2 planes.

因此，可以预见交错的存在。
合乎逻辑的是，如果芯片有 2 或 4 个平面，那么很可能会有一个交错——如果有 2 个平面，则有一个交错，如果有 4 个平面，则有两个交错。
如果芯片具有单个平面，则还可以预见没有交错。

第六字节
在确定读取参数方面，它是最后一个感兴趣的字节。
它允许确定读取模式：DDR 或 SDR。

例如，下面是两个芯片 ID：

98DE9892-7256
98DE9892-72D6

在位视图中：

56 = 01010110
D6 = 11010110

正如我们所看到的，只有第一位是不同的：0 和 1。
该位允许确定读取模式。

1 = DDR
0 = 特别提款权

但是，有时，尤其是在旧的东芝和闪迪内存芯片上，该位定义了对 DDR 模式的支持，并且可以通过固件的特殊命令启用它。不过，默认情况下，读取模式为 SDR。

还值得记住的是，除了读取模式（SDR 和 DDR）外，98DE9892-7256 和 98DE9892-72D6 等成对存储芯片的其余参数将是相同的。

如果您对数据恢复案例有疑问，欢迎您向技术支持部门提出。